제조업체 제품 번호:
TSM80N950CP ROG
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM80N950CP ROG-DG
설명:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
상세 설명:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
재고:
12949735
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
TSM80N950CP ROG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
691 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
110W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
TSM80
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TSM80N950CP ROGDKR-DG
TSM80N950CPROGDKR
TSM80N950CP ROGCT-DG
TSM80N950CP ROGCT
TSM80N950CP ROGTR
TSM80N950CPROGTR
TSM80N950CPROGCT
TSM80N950CP ROGDKR
TSM80N950CP ROGTR-DG
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SPD06N80C3ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
SPD06N80C3ATMA1-DG
단가
0.78
대체 유형
Similar
부품 번호
TK5P60W,RVQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
9180
부품 번호
TK5P60W,RVQ-DG
단가
0.68
대체 유형
Similar
부품 번호
IPD60R1K0CEAUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7232
부품 번호
IPD60R1K0CEAUMA1-DG
단가
0.23
대체 유형
Similar
부품 번호
IPD80R1K0CEATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
2125
부품 번호
IPD80R1K0CEATMA1-DG
단가
0.58
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
DMN55D0UTQ-7
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
DMN2170U-7
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
DMTH10H025LK3Q-13
MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
